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        由東海自主研發的TaC材料及涂層技術，可應用于SiC外延用涂層盤、UVLED外延用涂層盤、SiC單晶生長部件，我們的TaC涂層解決工藝有以下幾大優勢：
1、出色的抗熱沖擊阻力
2、出色的抗物理沖擊阻力
3、在高溫下，出色的耐化學性（≤2500℃）
4、超高純度
5、可加工成各種復雜的形狀
6、Ta元素和C元素比例為1:1

SiC外延過程基座

UVLED工藝基座

SiC單晶生長坩堝

高溫應用（不超過2500℃）

                 Susceptor

                      Jig

                  Crucible